6月30日，中国科学院微电子研究所龙世兵研究员为物电学院师生作了主题为“超宽禁带半导体功率器件”的学术报告。报告首先介绍了半导体功率器件在电力、工业控制、汽车电子等领域的广泛应用。接着，阐述了功率器件的发展历程并指出氧化镓和金刚石等半导体材料是下一代超高压功率器件材料的候选者，并介绍了氧化镓肖特基二极管功率器件和电容器件的设计、制备、测试、表征，重点研究了器件特性的温度依赖性。报告深入浅出，给大家展示了一个具有广泛应用前景的半导体器件新领域课题的研究，现场气氛热烈，师生受益匪浅。

龙世兵研究员是优秀青年科学基金项目获得者，IEEE会员。主要从事新型功率器件、阻变存储器、纳米加工技术的研究。发表SCI论文100余篇，SCI引用3000余次，合作撰写著作2本，获得/申请专利100余项。获得2013年国家技术发明奖二等奖、2016国家自然科学二等奖。